на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 268.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 15KPA130CA Good-Ark
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 152.1V; 72.5A; bidirectional; ±5%; P600; 15kW; reel,tape, Type of diode: TVS, Max. off-state voltage: 130V, Breakdown voltage: 152.1V, Max. forward impulse current: 72.5A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 2µA, Peak pulse power dissipation: 15kW, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції 15KPA130CA за ціною від 666.83 грн до 666.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
15KPA130CA | Виробник : MDE Semiconductor Inc |
 Description: TVS DIODE BP 130VRWM 208.3VC |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
15KPA130CA | Виробник : Good-Ark |
TVS Diode Single Bi-Dir 130V 15KW 2-Pin Case P-600 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
15KPA130CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 152.1V; 72.5A; bidirectional; ±5%; P600; 15kW; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 130V Breakdown voltage: 152.1V Max. forward impulse current: 72.5A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Peak pulse power dissipation: 15kW Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
15KPA130CA | Виробник : Littelfuse |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS AXIAL HI-POWER |
товар відсутній |
|||||
|
|
15KPA130CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 152.1V; 72.5A; bidirectional; ±5%; P600; 15kW; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 130V Breakdown voltage: 152.1V Max. forward impulse current: 72.5A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Peak pulse power dissipation: 15kW Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
товар відсутній |