Продукція > ONSEMI > 1HP04CH-TL-W
1HP04CH-TL-W

1HP04CH-TL-W ONSEMI


2578316.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 600mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 57003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1HP04CH-TL-W ONSEMI

Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 18ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції 1HP04CH-TL-W за ціною від 18.3 грн до 22.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1HP04CH-TL-W 1HP04CH-TL-W Виробник : ONSEMI 2578316.pdf Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 57003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+22.91 грн
34+ 22.54 грн
100+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 33
1HP04CH-TL-W 1HP04CH-TL-W Виробник : onsemi 1hp04ch-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH
на замовлення 6024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1HP04CH-TL-W 1HP04CH-TL-W Виробник : ON Semiconductor 1HP04CH-D-1801420.pdf MOSFET PCH 80MA 100V SOT-23
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1HP04CH-TL-W 1HP04CH-TL-W Виробник : onsemi 1hp04ch-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)