Технічний опис 1N3890 MOT
Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N3890
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N3890 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Rectifier Diode Switching 100V 12A 200ns 2-Pin DO-4 |
товар відсутній |
||
| 1N3890 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
1N3890 |
товар відсутній |
||
 |
1N3890 | Виробник : Vishay |
Fast Recovery Diodes |
товар відсутній |
|
| 1N3890 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товар відсутній |
||
 |
1N3890 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 12A Fast Recovery |
товар відсутній |
|
 |
1N3890 | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers Rectifier |
товар відсутній |