Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > 1N4006E-E3/54
1N4006E-E3/54

1N4006E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1n4001.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.57 грн
13+ 21.29 грн
100+ 10.74 грн
500+ 8.93 грн
1000+ 6.95 грн
2000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N4006E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.

Інші пропозиції 1N4006E-E3/54

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N4006E-E3/54 1N4006E-E3/54 Виробник : Vishay 1n4001.pdf Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 T/R
товар відсутній
1N4006E-E3/54 1N4006E-E3/54 Виробник : Vishay 1n4001.pdf Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 T/R
товар відсутній
1N4006E-E3/54 1N4006E-E3/54 Виробник : Vishay 1n4001.pdf Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 T/R
товар відсутній
1N4006E-E3/54 1N4006E-E3/54 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
1N4006E-E3/54 1N4006E-E3/54 Виробник : Vishay General Semiconductor 1n4001.pdf Rectifiers Vr/800V Io/1A
товар відсутній