1N4150W-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.17 грн |
30000+ | 2.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4150W-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: SOD-123, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N4150W-E3-18 за ціною від 1.51 грн до 17.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N4150W-E3-18 | Виробник : Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 8767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Виробник : Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 8767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 48555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Виробник : Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns |
на замовлення 19606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Виробник : Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns 2-Pin SOD-123 T/R |
товар відсутній |