на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 9.19 грн |
| 67+ | 8.61 грн |
| 70+ | 8.27 грн |
| 134+ | 4.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5407G Good-Ark
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 1N5407G за ціною від 5.83 грн до 33.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
 Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 3471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5407 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=800V, IO=3A |
на замовлення 3389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 3471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : onsemi |
Rectifiers 800V 3A Standard |
на замовлення 26497 шт: термін постачання 242-251 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| 1N5407G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 800V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| 1N5407G | Виробник : Lite-On Electronics |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| 1N5407G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 800V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : EIC Semiconductor |
Diode Si 800V 3A 2-Pin DO-201AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V |
товар відсутній |