1N5614 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 251.99 грн |
100+ | 225.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5614 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V.
Інші пропозиції 1N5614
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
1N5614 | Виробник : Microsemi | Rectifiers Std Rectifier |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
1N5614 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; tape; Ifsm: 30A; Ufmax: 1.3V; 2us Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 200V Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Kind of package: tape Load current: 1A Reverse recovery time: 2µs Max. forward voltage: 1.3V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
1N5614 | Виробник : MICROSEMI |
A/STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) 1N5614 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
1N5614 | Виробник : Semtech |
Power Discrete POWER DISCR 1N5614 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
1N5614 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; tape; Ifsm: 30A; Ufmax: 1.3V; 2us Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 200V Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Kind of package: tape Load current: 1A Reverse recovery time: 2µs Max. forward voltage: 1.3V |
товар відсутній |