на замовлення 800 шт:
термін постачання 312-321 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.05 грн |
| 100+ | 249.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5618 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N5618
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
1N5618 Код товару: 125024 |
 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||
 |
1N5618 | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin Case A Bag |
товар відсутній |
|
| 1N5618 | Виробник : Sensitron Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 2000ns 2-Pin Case 102 |
товар відсутній |
||
 |
1N5618 | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin Case A Bag |
товар відсутній |
|
| 1N5618 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin Case 102 |
товар відсутній |
||
|
|
1N5618 | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin Case A Bag |
товар відсутній |
|
| 1N5618 | Виробник : MICROSEMI |
A/STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) 1N5618 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| 1N5618 | Виробник : Semtech |
1A STANDARD RECT POWER DISCR 1N5618 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
1N5618 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
товар відсутній |
|
| 1N5618 | Виробник : Semtech Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
товар відсутній |
||
 |
1N5618 | Виробник : Semtech |
Rectifiers D MET 1A STD 600V |
товар відсутній |