1N5655A

1N5655A Solid State Inc.


1N5629-1N5665A-ssi.pdf Виробник: Solid State Inc.
Description: TVS DIODE D0-13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Supplier Device Package: DO-13
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+283.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N5655A Solid State Inc.

Description: TVS DIODE D0-13, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-13, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V, Supplier Device Package: DO-13, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 77.9V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No, Part Status: Active.

Інші пропозиції 1N5655A за ціною від 1116.35 грн до 1116.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N5655A 1N5655A Виробник : Microchip Technology LDS_0096-1593909.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes TVS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1116.35 грн
1N5655A Виробник : MICROSEMI 1N5629-1N5665A-ssi.pdf DO13/TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 1N5655
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N5655A Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1N5629-65A.pdf Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 82V; 13.3A; unidirectional; ±5%; DO13
Case: DO13
Mounting: THT
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 70.1V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Tolerance: ±5%
Max. forward impulse current: 13.3A
Breakdown voltage: 82V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній
1N5655A Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1N5629-65A.pdf Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 82V; 13.3A; unidirectional; ±5%; DO13
Case: DO13
Mounting: THT
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 70.1V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Tolerance: ±5%
Max. forward impulse current: 13.3A
Breakdown voltage: 82V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
товар відсутній