1N5809 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 444.72 грн |
| 100+ | 397.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5809 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції 1N5809 за ціною від 384.56 грн до 530.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5809 | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers 100V 3A UFR,FRR THT |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
1N5809 | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
Rectifiers Rectifier |
на замовлення 795 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 1N5809 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin Case 304 |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 1N5809 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin Case 304 |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 1N5809 | Виробник : MICROSEMI |
E/6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1N5809 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
| 1N5809 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; tape; Ifsm: 125A; Ufmax: 0.8V; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 6A Reverse recovery time: 30ns Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Max. forward voltage: 0.8V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| 1N5809 | Виробник : Semtech |
6A SUPERFAST RECT POWER DISCR 1N5809 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
1N5809 | Виробник : Semtech |
Rectifiers Rectifier |
товар відсутній |
|||||||||||||
| 1N5809 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; tape; Ifsm: 125A; Ufmax: 0.8V; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 6A Reverse recovery time: 30ns Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Max. forward voltage: 0.8V |
товар відсутній |