1N5809US Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 527.49 грн |
100+ | 471.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5809US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції 1N5809US за ціною від 516.04 грн до 850.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR SQ SMT |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
товар відсутній |
||||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
товар відсутній |
||||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
товар відсутній |
||||||||||||
1N5809US | Виробник : MICROSEMI |
E_SQ._MELFULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
1N5809US | Виробник : Semtech |
6A SUPERFAST RECT-SM POWER DISCR 1N5809 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |