1N6483-E3/96

1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


1n6478.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+8.43 грн
3000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

Інші пропозиції 1N6483-E3/96 за ціною від 9.76 грн до 31.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.54 грн
13+ 21.51 грн
100+ 12.9 грн
500+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Виробник : Vishay General Semiconductor 1n6478.pdf Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt
на замовлення 18279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.47 грн
13+ 24.2 грн
100+ 12.66 грн
500+ 11.74 грн
1000+ 9.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Виробник : Vishay 1n6478.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
товар відсутній
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Виробник : Vishay 1n6478.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
товар відсутній
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Виробник : Vishay 1n6478.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
товар відсутній
1N6483-E3/96 Виробник : VISHAY 1n6478.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; DO213AB; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO213AB
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.2mA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
1N6483-E3/96 Виробник : VISHAY 1n6478.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; DO213AB; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO213AB
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.2mA
товар відсутній