1N649-1 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 400mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 400mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 600 V
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 152.52 грн |
100+ | 136.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N649-1 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 400mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N649-1 за ціною від 152.29 грн до 926.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N649-1 | Виробник : Microchip Technology | Rectifiers 600 V Signal or Computer Diode |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
1N649-1 | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching Si 0.4A 2-Pin DO-35 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
1N649-1 | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching Si 0.4A 2-Pin DO-35 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
1N649-1 | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching Si 0.4A 2-Pin DO-35 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
1N649-1 | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching Si 0.4A 2-Pin DO-35 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
1N649-1 | Виробник : MICROSEMI |
DO35/STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) 1N649-1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
1N649-1 | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching Si 0.4A 2-Pin DO-35 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
1N649-1 | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching Si 0.4A 2-Pin DO-35 |
товар відсутній |
||||||||
1N649-1 | Виробник : Microchip Technology | Diode Zener Single 5.6V 5% 1500mW 2-Pin DO-41 Bag |
товар відсутній |
||||||||
1N649-1 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 400mA; tape; Ifsm: 3A; DO35; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 0.4A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 3A Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.6W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
1N649-1 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 400mA; tape; Ifsm: 3A; DO35; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 0.4A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 3A Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.6W |
товар відсутній |