Продукція > 1N9 > 1N916B/T50R

1N916B/T50R


Виробник:

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N916B/T50R

Description: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V.

Інші пропозиції 1N916B/T50R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N916B_T50R 1N916B_T50R Виробник : onsemi 1n914-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товар відсутній