1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 30 V
Description: DIODE GEN PURP 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 30V 100MA S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: S-Mini, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 30 V.
Інші пропозиції 1SS307(TE85L,F) за ціною від 5.14 грн до 25.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1SS307(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Diode 35V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1SS307(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Diode 35V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1SS307(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE GEN PURP 30V 100MA S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: S-Mini Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 30 V |
на замовлення 6721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1SS307(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 30V 3 pins, S-Mini 0.1A |
на замовлення 8271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1SS307(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Diode 35V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
1SS307(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA | SOT23/SOT323 |
на замовлення 2876 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |