1N5061TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 13.42 грн |
10000+ | 12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5061TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N5061TR за ціною від 11.68 грн до 52.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5061TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 4085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 16160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 16160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - 1N5061TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pins productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 34213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM |
на замовлення 31556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
на замовлення 14960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - 1N5061TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pins productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 34213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
1N5061TR Код товару: 175651 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 4µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 4µs |
товар відсутній |