Результат пошуку "2Т 875 А" : 2

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
CSD87502Q2T CSD87502Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87502q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.3W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 2.3W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 2x2mm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.17 грн
5+ 70.97 грн
17+ 47.32 грн
46+ 44.61 грн
250+ 42.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
87569-1014 Molex Засувка к 87568-1493; К-сть конт. = 14; Крок, мм = 2; Тип монт. = на роз'єм; ........
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
20+31.48 грн
100+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD87502Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87502q2
CSD87502Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.3W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 2.3W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 2x2mm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.17 грн
5+ 70.97 грн
17+ 47.32 грн
46+ 44.61 грн
250+ 42.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
87569-1014
Виробник: Molex
Засувка к 87568-1493; К-сть конт. = 14; Крок, мм = 2; Тип монт. = на роз'єм; ........
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.48 грн
100+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 20