Результат пошуку "2Т 970 А" : 2

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
1097062009 Paradigm Electronics Inc. CS-60R v2 пара Частотний діапазон: 60Гц-20кГц (± 2dB)Чутливість: 92дБ, Номінальний опір: 8 Ом, Потужність (RMS / MAX): 60 / 120Вт, Дифузор (НЧ-динамік): 6,5" поліпропіленовий, твітер (ВЧ динамік): 1.2" титановий поворотний.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SKIIP 24ACC12T7V1 25231970 SEMIKRON DANFOSS SKIIP24ACC12T7V1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge x2; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: MiniSKiiP® 2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
1097062009
Виробник: Paradigm Electronics Inc.
CS-60R v2 пара Частотний діапазон: 60Гц-20кГц (± 2dB)Чутливість: 92дБ, Номінальний опір: 8 Ом, Потужність (RMS / MAX): 60 / 120Вт, Дифузор (НЧ-динамік): 6,5" поліпропіленовий, твітер (ВЧ динамік): 1.2" титановий поворотний.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SKIIP 24ACC12T7V1 25231970 SKIIP24ACC12T7V1.pdf
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge x2; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: MiniSKiiP® 2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mechanical mounting: screw
товар відсутній