Технічний опис 20ETF12S IR
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 400 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції 20ETF12S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 20ETF12S | Виробник : IR |
 05+ TO252 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
20ETF12S | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 20A 400ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
20ETF12S | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товар відсутній |