20KPA20CA MDE Semiconductor Inc
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 788.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 20KPA20CA MDE Semiconductor Inc
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 23.5V; 548.9A; bidirectional; ±5%; P600; 20kW; reel,tape, Type of diode: TVS, Max. off-state voltage: 20V, Breakdown voltage: 23.5V, Max. forward impulse current: 548.9A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 10mA, Peak pulse power dissipation: 20kW, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції 20KPA20CA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
20KPA20CA | Виробник : Littelfuse |
 TVS Diode Single Bi-Dir 20V 20KW 2-Pin Case P-600 T/R |
товар відсутній |
|
 |
20KPA20CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 23.5V; 548.9A; bidirectional; ±5%; P600; 20kW; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 20V Breakdown voltage: 23.5V Max. forward impulse current: 548.9A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 10mA Peak pulse power dissipation: 20kW Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|
 |
20KPA20CA | Виробник : Littelfuse |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS Hi-Power Diode |
товар відсутній |
|
|
|
20KPA20CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 23.5V; 548.9A; bidirectional; ±5%; P600; 20kW; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 20V Breakdown voltage: 23.5V Max. forward impulse current: 548.9A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 10mA Peak pulse power dissipation: 20kW Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
товар відсутній |