на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1088 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 20KPA30A-B Littelfuse
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 20kW; 35.19V; 392.2A; unidirectional; ±5%; P600; bulk, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 20kW, Max. off-state voltage: 30V, Breakdown voltage: 35.19V, Max. forward impulse current: 392.2A, Semiconductor structure: unidirectional, Tolerance: ±5%, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 0.25mA, Kind of package: bulk, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 20KPA30A-B
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
20KPA30A-B | Виробник : Littelfuse Inc. | Description: TVS DIODE 30VWM 51.5VC P600 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
20KPA30A/B | Виробник : Yageo | Transient Voltage Suppressors (TVS) |
товар відсутній |
||
20KPA30A-B | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 20kW; 35.19V; 392.2A; unidirectional; ±5%; P600; bulk Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 20kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 35.19V Max. forward impulse current: 392.2A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 0.25mA Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
20KPA30A-B | Виробник : Littelfuse | ESD Suppressors / TVS Diodes TVS Hi-Power Diode Axial |
товар відсутній |
||
20KPA30A-B | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 20kW; 35.19V; 392.2A; unidirectional; ±5%; P600; bulk Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 20kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 35.19V Max. forward impulse current: 392.2A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 0.25mA Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated |
товар відсутній |