25P06 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	22.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 25P06 Goford Semiconductor

Інші пропозиції 25P06 за ціною від 21.55 грн до 54.17 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	25P06	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 30 V	на замовлення 4383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 6+ 54.17 грн 10+  42.76 грн 100+  33.26 грн 500+  26.46 грн 1000+  21.55 грн Мінімальне замовлення: 6 купити