2DB1188R-13

2DB1188R-13 Diodes Incorporated


2DB1188P_Q_R.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 215000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.8 грн
5000+ 8.04 грн
12500+ 7.47 грн
25000+ 6.85 грн
62500+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1188R-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 32V 2A SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2DB1188R-13 за ціною від 8.9 грн до 26.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2DB1188R-13 2DB1188R-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 216423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.3 грн
13+ 21.5 грн
100+ 14.94 грн
500+ 10.95 грн
1000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 11
2DB1188R-13 2DB1188R-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31144-89992.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)