Технічний опис 2DD1664R-13 Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000W 32Vceo.
Інші пропозиції 2DD1664R-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2DD1664R-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 32V 1A SOT89-3 |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
2DD1664R-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 32V 1A SOT89-3 |
на замовлення 5087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
2DD1664R-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 32V 1A SOT89-3 |
на замовлення 5087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
2DD1664R-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1000W 32Vceo |
на замовлення 3714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
2DD1664R-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 32V 1A SOT89-3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
2DD1664R-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 32V 1A SOT89-3 |
товар відсутній |