Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 2LS20017E42W36702NOSA1
2LS20017E42W36702NOSA1

2LS20017E42W36702NOSA1 Infineon Technologies


3647ds_2ls20017e42w36702_2_2.pdffolderiddb3a304332fc1ee701331229646a3.pdf Виробник: Infineon Technologies
2LS20017 Three phase uncontrolled rectifier Diode
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2LS20017E42W36702NOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1700V 20A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Surface Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: 150°C (TJ), NTC Thermistor: Yes, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2500 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V.

Інші пропозиції 2LS20017E42W36702NOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2LS20017E42W36702NOSA1 2LS20017E42W36702NOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-2LS20017E42W36702-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433df41259013df8f0c7cf0a3c Description: IGBT MODULE 1700V 20A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Surface Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
товар відсутній