2N1711 MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N1711 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 3 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 70MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
Description: MULTICOMP PRO - 2N1711 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 3 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 70MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 184.25 грн |
10+ | 131.71 грн |
100+ | 102.11 грн |
500+ | 71.46 грн |
1000+ | 49.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N1711 MULTICOMP PRO
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO39, Packaging: Tube, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 100mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2N1711 за ціною від 19.94 грн до 19.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N1711 | Виробник : CDIL |
NPN; 300; 800mW; 50V; 500mA; 70MHz; -65°C ~ 200°C; 2N1711 CDIL T2N1711 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
2N1711 | Виробник : Central Semiconductor | Транзистор біполярний NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=50V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,8W; hfe=20...300 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||
2N1711 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 43828 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-39 fT: 100 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,5 A h21: 135 |
товар відсутній
|
|||||||
2N1711 | Виробник : Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.8/3W; TO39; 8dB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.8/3W Case: TO39 Current gain: 20...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 70MHz Noise Figure: 8dB кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Tray |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Tray |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Tray |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : Semelab | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 2500mW 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||
2N1711 | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.8/3W; TO39; 8dB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.8/3W Case: TO39 Current gain: 20...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 70MHz Noise Figure: 8dB |
товар відсутній |