2N1711S

2N1711S Microchip Technology


2N1711-1593190.pdf Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1722.34 грн
25+ 1696.97 грн
100+ 1371.27 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N1711S Microchip Technology

Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2N1711S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N1711S Виробник : MOT 6017-2n1711-datasheet CAN
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N1711S 2N1711S Виробник : Microchip Technology 6017-2n1711-datasheet Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній