2N2221AUB Microchip Technology


LDS_0060-1593857.pdf Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40 V Small-Signal BJT
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+580.24 грн
100+ 530.98 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N2221AUB Microchip Technology

Description: TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: 3-SMD, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2N2221AUB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N2221AUB 2N2221AUB Виробник : Microchip Technology lds-0060.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
товар відсутній
2N2221AUB Виробник : Microsemi Corporation 8898-lds-0060-datasheet Description: TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 3-SMD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній