2N2222AUB Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 378.91 грн |
100+ | 338.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2222AUB Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N2222AUB за ціною від 381.83 грн до 3375.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N2222AUB | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
2N2222AUB | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2N2222AUB | Виробник : TT Electronics/Optek Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-LCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2N2222AUB | Виробник : Optek / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
2N2222AUB | Виробник : Optek Technology (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2N2222AUB | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
товар відсутній |
||||||||
2N2222AUB | Виробник : Optek Technology (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle |
товар відсутній |
||||||||
2N2222AUB | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
товар відсутній |
||||||||
2N2222AUB | Виробник : Optek Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle |
товар відсутній |
||||||||
2N2222AUB | Виробник : MICROSEMI |
TO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |