Продукція > CDIL > 2N3019
2N3019

2N3019 CDIL

2n3019_2n3020.pdf Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8/5W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Noise Figure: 4dB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+73.58 грн
8+ 47.62 грн
25+ 28.57 грн
38+ 21.26 грн
104+ 20.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3019 CDIL

Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції 2N3019 за ціною від 24.18 грн до 1576.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N3019 2N3019 Виробник : CDIL 2n3019_2n3020.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8/5W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Noise Figure: 4dB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 970 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.3 грн
5+ 59.35 грн
25+ 34.29 грн
38+ 25.51 грн
104+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N3019 2N3019 Виробник : MULTICOMP PRO 2861179.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+196.97 грн
10+ 157.58 грн
100+ 112.24 грн
500+ 73.16 грн
1000+ 48.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N3019 2N3019 Виробник : Microchip Technology lds-0185.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+916.02 грн
2N3019 2N3019 Виробник : Microchip Technology 122693-lds-0185-datasheet Description: TRANS NPN 80V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+956.84 грн
100+ 855.92 грн
2N3019 2N3019 Виробник : Microchip Technology lds-0185.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+995.68 грн
2N3019 2N3019 Виробник : Microchip Technology lds_0185-1592883.pdf Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1039.7 грн
100+ 951.7 грн
500+ 826.9 грн
2N3019 2N3019 Виробник : Microchip Technology lds-0185.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+1072.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N3019 2N3019 Виробник : Microchip Technology lds-0185.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+1576.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N3019 Виробник : NTE Electronics, Inc. 122693-lds-0185-datasheet 2N3019.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
112+103.82 грн
Мінімальне замовлення: 112
2N3019 Виробник : Central Semiconductor 122693-lds-0185-datasheet 2N3019.pdf Біполярний транзистор NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=80V; Ic=1A; f=100MHz; Pdmax=0,8W; hfemin=100
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.84 грн
10+ 138.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N3019 2N3019
Код товару: 119528 		122693-lds-0185-datasheet 2N3019.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2N3019 Виробник : Broadcom / Avago 122693-lds-0185-datasheet 2N3019.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N3019 2N3019 Виробник : STMicroelectronics CD00003089-491105.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
товар відсутній
2N3019 Виробник : Infineon Technologies 122693-lds-0185-datasheet 2N3019.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N3019 2N3019 Виробник : Rectron 2n3019_20-1107729.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Planar Transistor
товар відсутній
2N3019 2N3019 Виробник : Microchip Technology lds-0185.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
товар відсутній
2N3019 2N3019 Виробник : STMicroelectronics 2N3019.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2N3019 2N3019 Виробник : NTE Electronics 2N3019.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 5W; TO5
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 5W
Case: TO5
Current gain: 80...400
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N3019 2N3019 Виробник : Rectron 172n3019_20.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
товар відсутній
2N3019 2N3019 Виробник : Microchip Technology lds-0185.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
товар відсутній
2N3019 2N3019 Виробник : STMicroelectronics 9040.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N3019 2N3019 Виробник : Semelab 272n3019.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39
товар відсутній
2N3019 2N3019 Виробник : Microchip Technology lds-0185.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
товар відсутній
2N3019 2N3019 Виробник : NTE Electronics 2N3019.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 5W; TO5
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 5W
Case: TO5
Current gain: 80...400
Mounting: THT
товар відсутній