2N3019S

2N3019S Microchip Technology


lds_0185_4-1592718.pdf Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 184 шт:

термін постачання 67-76 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1471.2 грн
100+ 1348.01 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3019S Microchip Technology

Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2N3019S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N3019S Виробник : MOT 125195-lds-0185-4-datasheet CAN
на замовлення 7391 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N3019S Виробник : ST/MOT 125195-lds-0185-4-datasheet
на замовлення 99900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N3019S 2N3019S Виробник : Microchip Technology lds-0185-4.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N3019S 2N3019S Виробник : Microchip Technology lds-0185-4.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N3019S 2N3019S Виробник : Microchip Technology 125195-lds-0185-4-datasheet Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній