Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR > 2N3117 PBFREE
2N3117 PBFREE

2N3117 PBFREE Central Semiconductor

CSEM_S_A0011843154_1-2539361.pdf Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Low Lvl SS
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.76 грн
10+ 370.88 грн
25+ 319.26 грн
100+ 265.4 грн
250+ 262.8 грн
500+ 228.41 грн
1000+ 205.05 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3117 PBFREE Central Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 360 mW.

Інші пропозиції 2N3117 PBFREE за ціною від 199.09 грн до 467.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Виробник : Central Semiconductor 2n3117.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+434.09 грн
10+ 377.44 грн
25+ 373.03 грн
100+ 298.91 грн
250+ 272.64 грн
500+ 227.88 грн
1000+ 199.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Виробник : Central Semiconductor 2n3117.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+467.48 грн
29+ 401.73 грн
100+ 321.9 грн
250+ 293.61 грн
500+ 245.41 грн
1000+ 214.41 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Виробник : Central Semiconductor 2n3117.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18
товар відсутній
2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Виробник : Central Semiconductor Corp 2N3117.PDF Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 360 mW
товар відсутній