2N4124G ON Semiconductor


2n4123-d.pdf Виробник: ON Semiconductor

на замовлення 453 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4124G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N4124G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N4124G 2N4124G Виробник : ON Semiconductor 2n4123.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N4124G Виробник : ON Semiconductor 2n4123.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N4124G 2N4124G Виробник : onsemi 2n4123-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N4124G 2N4124G Виробник : onsemi 2N4123_D-2309282.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 30V NPN
товар відсутній