2N5302 MOTOROLA


6088-2n5302-datasheet Виробник: MOTOROLA

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5302 MOTOROLA

Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V, Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 5 W.

Інші пропозиції 2N5302

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5302 2N5302 Виробник : Microchip Technology 2n5302.pdf Trans GP BJT NPN 60V 30A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5302 2N5302 Виробник : Microchip Technology 2n5302.pdf Trans GP BJT NPN 60V 30A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5302 2N5302 Виробник : Microchip Technology 6088-2n5302-datasheet Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
товар відсутній
2N5302 Виробник : Microsemi 2n5302.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній