2N5339

2N5339 Solid State Inc.


8813-lds-0011-datasheet 2N5336-5339.PDF Виробник: Solid State Inc.
Description: TRANS NPN 100V 5A TO5
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 6 W
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+257.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5339 Solid State Inc.

Description: TRANS NPN 100V 5A TO5, Packaging: Box, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-5, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 6 W.

Інші пропозиції 2N5339 за ціною від 2268.06 грн до 2477.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5339 Виробник : Microchip Technology LDS_0011-1593797.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2477.16 грн
100+ 2268.06 грн
2N5339 Виробник : MOT 8813-lds-0011-datasheet 2N5336-5339.PDF 03+ QFP
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5339 Виробник : MOT 8813-lds-0011-datasheet 2N5336-5339.PDF CAN
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5339 Виробник : MOTOROLA 8813-lds-0011-datasheet 2N5336-5339.PDF
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5339 2N5339 Виробник : Microchip Technology lds-0011.pdf Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N5339 2N5339 Виробник : Microchip Technology lds-0011.pdf Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N5339 2N5339 Виробник : Microchip Technology 8813-lds-0011-datasheet Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2N5339 2N5339 Виробник : Central Semiconductor Corp 2N5336-5339.PDF Description: TRANS NPN 100V 5A TO39
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 6 W
товар відсутній
2N5339 2N5339 Виробник : STMicroelectronics 8813-lds-0011-datasheet 2N5336-5339.PDF Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній