2N5339 Solid State Inc.
Виробник: Solid State Inc.
Description: TRANS NPN 100V 5A TO5
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 6 W
Description: TRANS NPN 100V 5A TO5
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 6 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 257.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5339 Solid State Inc.
Description: TRANS NPN 100V 5A TO5, Packaging: Box, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-5, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 6 W.
Інші пропозиції 2N5339 за ціною від 2268.06 грн до 2477.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5339 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
2N5339 | Виробник : MOT | 03+ QFP |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2N5339 | Виробник : MOT | CAN |
на замовлення 591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2N5339 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 5680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
2N5339 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||||
2N5339 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||||
2N5339 | Виробник : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |
||||||||
2N5339 | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 100V 5A TO39 Packaging: Box Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 6 W |
товар відсутній |
||||||||
2N5339 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |