Технічний опис 2N5406 MOT
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 7 W.
Інші пропозиції 2N5406
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2N5406 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
2N5406 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 7 W |
товар відсутній |
||
2N5406 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |