Технічний опис 2N6079 MOTOROLA
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200µA, 1.2mA, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 45 W.
Інші пропозиції 2N6079
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6079 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200µA, 1.2mA Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W |
товар відсутній |
||
| 2N6079 | Виробник : Microchip Technology / Atmel | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||
| 2N6079 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |