Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N7000-G
2N7000-G

2N7000-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
406+28.72 грн
409+ 28.52 грн
500+ 28.03 грн
2000+ 24.7 грн
Мінімальне замовлення: 406
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7000-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

Інші пропозиції 2N7000-G за ціною від 21.29 грн до 65.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.7 грн
25+ 26.56 грн
100+ 23.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
356+32.71 грн
500+ 30.67 грн
1000+ 28.82 грн
Мінімальне замовлення: 356
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 5329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.75 грн
25+ 28.55 грн
100+ 25.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7000-G 2N7000-G Виробник : MICROCHIP 2337817.pdf Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+34.28 грн
26+ 28.83 грн
100+ 25.36 грн
1000+ 23.07 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+35.4 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology supertex_2n7000-1181251.pdf MOSFET 60V 5Ohm
на замовлення 10226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.65 грн
25+ 29.55 грн
100+ 22.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
279+41.81 грн
288+ 40.51 грн
500+ 39.28 грн
Мінімальне замовлення: 279
2N7000-G 2N7000-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7000-G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+54.56 грн
14+ 25.53 грн
15+ 23.75 грн
35+ 23.28 грн
94+ 21.91 грн
100+ 21.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7000-G 2N7000-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7000-G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.47 грн
9+ 31.82 грн
10+ 28.51 грн
35+ 27.93 грн
94+ 26.29 грн
100+ 25.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7000G Виробник : ON Semiconductor 2n7000-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N7000G 2N7000G Виробник : ON Semiconductor 2n7000-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N7000G 2N7000G Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N7000G 2N7000G Виробник : onsemi NDS7002A_D-2317584.pdf MOSFET 60V 200mA N-Channel
товар відсутній
2N7000-G
Код товару: 182408 		2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній