Продукція > 2N7 > 2N7000RLRMG

2N7000RLRMG


2N7000 Rev7.pdf Виробник:

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7000RLRMG

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7000RLRMG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N7000RLRMG 2N7000RLRMG Виробник : ON Semiconductor 2n7000-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N7000RLRMG 2N7000RLRMG Виробник : onsemi 2N7000 Rev7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній