2N7002AQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002AQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2N7002AQ-13 за ціною від 2.15 грн до 24.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002AQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry |
на замовлення 6870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6870 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family |
на замовлення 14244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |