на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002BKS,115 NEXPERIA
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 295mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 2N7002BKS,115 за ціною від 2.33 грн до 30.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 45609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 45609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 264998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | MOSFET 2N7002BKS/SOT363/SC-88 |
на замовлення 92783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : NXP |
2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|