на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002ET1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V.
Інші пропозиції 2N7002ET1G за ціною від 1.38 грн до 31.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002ET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V |
на замовлення 491984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 37662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm |
на замовлення 60452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1649 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 37662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : onsemi | MOSFET NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms |
на замовлення 676928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm |
на замовлення 60452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V |
на замовлення 497582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |