2N7002K Good-Ark Semiconductor
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.56 грн |
6000+ | 1.35 грн |
15000+ | 1.18 грн |
30000+ | 0.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002K Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V.
Інші пропозиції 2N7002K за ціною від 1.28 грн до 24.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : MDD |
Description: MOSFET SOT-23 N Channel 60V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.8 pF @ 10 V |
на замовлення 786000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : Good-Ark | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
на замовлення 200066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : Good-Ark | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 17201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Power Dissipation (Max): 430mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 60V, 300mA N-Chan |
на замовлення 39442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
на замовлення 200136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 17201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited |
Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : Microdiode Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5904000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 7488000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : MDD(Microdiode Electronics) |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 50V; 3Ohm; 500mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K Код товару: 36754 |
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : Rectron | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : Rectron | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |