2N7002KT1G

2N7002KT1G ON Semiconductor


2n7002k-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1698000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002KT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V.

Інші пропозиції 2N7002KT1G за ціною від 1.23 грн до 624 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30000+1.4 грн
150000+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 30000
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1698000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5264+2.17 грн
9000+ 1.57 грн
24000+ 1.52 грн
45000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 5264
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1698000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.19 грн
9000+ 1.58 грн
24000+ 1.53 грн
45000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.39 грн
9000+ 1.66 грн
24000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4452+2.57 грн
9000+ 1.79 грн
24000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 4452
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : ONSEMI 2N7002K.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.7 грн
125+ 3.09 грн
375+ 2.25 грн
975+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : ONSEMI 2354033.pdf Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
на замовлення 96587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : ONSEMI 2N7002K.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+4.44 грн
100+ 3.85 грн
375+ 2.7 грн
975+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 75
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2093+5.47 грн
2484+ 4.61 грн
3659+ 3.13 грн
4532+ 2.43 грн
7426+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 2093
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+13.04 грн
55+ 10.48 грн
67+ 8.51 грн
111+ 4.94 грн
250+ 4.53 грн
500+ 3.67 грн
1000+ 2.49 грн
3000+ 2.01 грн
6000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 44
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : onsemi 2n7002k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.27 грн
30+ 9.41 грн
100+ 4.6 грн
500+ 3.6 грн
1000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : onsemi 2N7002K_D-2309762.pdf MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms
на замовлення 6135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.01 грн
29+ 10.47 грн
100+ 5.67 грн
1000+ 2.51 грн
3000+ 2.18 грн
9000+ 1.65 грн
24000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : ONSEMI 2354033.pdf Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
на замовлення 96587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+16.87 грн
64+ 11.62 грн
157+ 4.74 грн
500+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 44
2N7002KT1G Виробник : ON-Semicoductor 2n7002k-d.pdf N-MOSFET 60V 0.38A 2N7002KT1GE3 T2N7002kt1ge3
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002KT1G Виробник : ON-Semicoductor 2n7002k-d.pdf N-MOSFET 60V 0.38A 2N7002KT1GE3 T2N7002kt1ge3
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002KT1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 320 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5; Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 38.24 грн
2N7002KT1G 2N7002KT1G Виробник : onsemi 2n7002k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
товар відсутній