Продукція > NEXPERIA > 2N7002NXAKR

2N7002NXAKR NEXPERIA

Name: 2N7002NXAKR
Brand: NEXPERIA
SKU: 23644-7
Price: 0.71 UAH
Availability: InStock

Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 44031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
431+	0.71 грн

Мінімальне замовлення: 431

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2N7002NXAKR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 265mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N7002NXAKR за ціною від 0.92 грн до 11.4 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

2N7002NXAKR

Виробник : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 265mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
500+	1.82 грн
1500+	1.65 грн

Мінімальне замовлення: 500

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	1.94 грн
6000+	1.76 грн
9000+	1.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 44031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5726+	2.04 грн

Мінімальне замовлення: 5726

2N7002NXAKR

Виробник : NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 1209 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
95+	3.9 грн
120+	2.94 грн
250+	2.06 грн
565+	1.41 грн

Мінімальне замовлення: 95

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 20941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2858+	4.09 грн
2930+	3.98 грн
5358+	2.18 грн
6522+	1.73 грн
8334+	1.25 грн
15000+	1 грн

Мінімальне замовлення: 2858

2N7002NXAKR

Виробник : NEXPERIA

на замовлення 1209 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
60+	4.68 грн
100+	3.67 грн
250+	2.47 грн
565+	1.69 грн
1545+	1.6 грн

Мінімальне замовлення: 60

2N7002NXAKR

Виробник : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
97+	7.69 грн
124+	6.01 грн
171+	4.32 грн
500+	1.82 грн
1500+	1.65 грн

Мінімальне замовлення: 97

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

MOSFET 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB

на замовлення 1797602 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
31+	9.99 грн
43+	7.12 грн
100+	3.1 грн
1000+	1.71 грн
3000+	1.38 грн
9000+	1.12 грн
45000+	0.92 грн

Мінімальне замовлення: 31

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 20941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
58+	10.12 грн
77+	7.51 грн
151+	3.69 грн
250+	3.39 грн
500+	3.17 грн
1000+	1.73 грн
3000+	1.42 грн
6000+	1.11 грн

Мінімальне замовлення: 58

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 44031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
54+	10.8 грн
72+	8.11 грн
142+	4.09 грн
1000+	2.08 грн
3000+	1.59 грн
9000+	1.2 грн
24000+	1.06 грн

Мінімальне замовлення: 54

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V

на замовлення 27257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
25+	11.4 грн
37+	7.62 грн
100+	4.13 грн
500+	3.04 грн
1000+	2.11 грн

Мінімальне замовлення: 25

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia Inc.

MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

2N7002NXAKR

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній