на замовлення 1083000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002P,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N7002P,215 за ціною від 1.36 грн до 15.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1083000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1083000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 669000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 215135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 215135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 17374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17374 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia | MOSFET 2N7002P/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1330976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 674258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : NXP |
N-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 420mW 2N7002P T2N7002p кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : NXP |
N-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 420mW 2N7002P T2N7002p кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5945 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|