на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002PS,125 NEXPERIA
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 420mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Part Status: Not For New Designs, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції 2N7002PS,125 за ціною від 2.96 грн до 28.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002PS,125 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002PS,125 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002PS,125 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002PS,125 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002PS,125 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002PS,125 | Виробник : Nexperia |
MOSFET 2N7002PS/SOT363/SC-88 |
на замовлення 65459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002PS,125 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 10751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002PS,125 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2N7002PS,125 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |