Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1163-BL,LF
2SA1163-BL,LF

2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.52 грн
6000+ 3.14 грн
9000+ 2.6 грн
30000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SA1163-BL,LF за ціною від 2.43 грн до 22.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 47134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.33 грн
20+ 13.83 грн
100+ 6.74 грн
500+ 5.28 грн
1000+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Виробник : Toshiba 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 185073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.85 грн
20+ 15.42 грн
100+ 5.45 грн
1000+ 3.81 грн
3000+ 3.02 грн
9000+ 2.5 грн
24000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Виробник : Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Виробник : Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-BL,LF Виробник : Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній