Продукція > TOSHIBA > 2SA1201-Y(TE12L,ZC
2SA1201-Y(TE12L,ZC

2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba

52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
663+17.34 грн
667+ 17.24 грн
817+ 14.09 грн
Мінімальне замовлення: 663
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba

Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SA1201-Y(TE12L,ZC за ціною від 9.15 грн до 35.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1201_datasheet_en_20131101.pdf?did=20286&prodName=2SA1201 Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.99 грн
10+ 27.1 грн
100+ 18.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 2SA1201_datasheet_en_20131101-1649773.pdf Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL
на замовлення 29071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.88 грн
10+ 30.22 грн
100+ 19.66 грн
500+ 15.44 грн
1000+ 11.1 грн
2000+ 10.25 грн
10000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1201_datasheet_en_20131101.pdf?did=20286&prodName=2SA1201 Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній