Продукція > ONSEMI > 2SA1417S-TD-E
2SA1417S-TD-E

2SA1417S-TD-E ONSEMI

EN2006-D.html Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+31.56 грн
25+ 27.11 грн
39+ 20.66 грн
106+ 19.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1417S-TD-E ONSEMI

Description: TRANS PNP 100V 2A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SA1417S-TD-E за ціною від 13.11 грн до 41.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Виробник : ONSEMI EN2006-D.html Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.87 грн
25+ 33.78 грн
39+ 24.79 грн
106+ 23.47 грн
1000+ 22.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Виробник : onsemi EN2006-D.html Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.49 грн
10+ 31.91 грн
100+ 22.09 грн
500+ 17.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Виробник : onsemi 2SA1417_D-3150112.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.43 грн
10+ 35.54 грн
100+ 21.48 грн
500+ 17.92 грн
1000+ 15.22 грн
2000+ 13.84 грн
5000+ 13.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 3940en2006-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Виробник : onsemi EN2006-D.html Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній